K4A8G085WB-BCTD vs H5AN8G6NDJR موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WB-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور H5AN8G6NDJR بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G085WB-BCTD | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $8.53 | — |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| تنظیم | 1G x 8 | 512M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 2666 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | 1.2 V |
| Die Revision | B-die | — |
| پیکیج | FBGA-78 (78-ball TFBGA) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| Bank Structure | 16 banks, 4 bank groups | — |
| Burst Length | BL8 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Termination | On-Die Termination (ODT), dynamic ODT | — |
| خصوصیات | ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Speed Bin | -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) | — |
| Terminations | 78 | — |
| JEDEC-30 Package Code | R-PBGA-B78 | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| CAS لیٹنسی | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |