K4A8G085WB-BCTD vs H5AN8G6NDJR مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WB-BCTD توسط Samsung Electronics و H5AN8G6NDJR توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WB-BCTD | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | $8.53 | — |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| سازمان | 1G x 8 | 512M x 16 |
| نرخ داده | 2666 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V |
| Die Revision | B-die | — |
| بسته‌بندی | FBGA-78 (78-ball TFBGA) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| Bank Structure | 16 banks, 4 bank groups | — |
| Burst Length | BL8 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Termination | On-Die Termination (ODT), dynamic ODT | — |
| ویژگی‌ها | ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Speed Bin | -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) | — |
| Terminations | 78 | — |
| JEDEC-30 Package Code | R-PBGA-B78 | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| تأخیر CAS | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |