K4A8G165WB-BCPB vs K4A8G165WB-BCWE तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G165WB-BCPB द्वारा Samsung Electronics और K4A8G165WB-BCWE द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WB-BCPB ✓ सक्रियSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G165WB-BCPB | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | — | In Stock |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $6.25 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| संगठन | 512M x 16 | — |
| डेटा दर | 2133 Mbps | 3200 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | 0C to +85C |
| पैकेज | 96FBGA (TFBGA) | 96FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | Rectangular, bottom terminal position | — |
| Die Generation | 8Gb B-die | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| इंटरफ़ेस | DDR4 (synchronous, double data rate) | Parallel |
| Bank Groups | DDR4 bank-group architecture | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (per Lisleapex listing) | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | Self-refresh supported |
| मेमोरी आकार | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| Access Time | — | 19 ns |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM B-die |
| Prefetch | — | 8n |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |