K4A8G165WB-BCPB vs K4A8G165WB-BCWE مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G165WB-BCPB توسط Samsung Electronics و K4A8G165WB-BCWE توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung

K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung

K4A8G165WB-BCWE ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCWE
برند Samsung Electronics Samsung Electronics
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
وضعیت موجودی — In Stock
قیمت واحد (USD) — $6.25
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
سازمان 512M x 16 —
نرخ داده 2133 Mbps 3200 Mbps/pin
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
دمای کاری 0C to +85C 0C to +85C
بسته‌بندی 96FBGA (TFBGA) 96FBGA
Number of Terminals 96 —
Package Shape Rectangular, bottom terminal position —
Die Generation 8Gb B-die —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
رابط DDR4 (synchronous, double data rate) Parallel
Bank Groups DDR4 bank-group architecture —
وضعیت RoHS Compliant (per Lisleapex listing) [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] Self-refresh supported
اندازه حافظه — 8 Gb
Memory Organization — 512M x 16
ولتاژ تغذیه — 1.2 V
Access Time — 19 ns
Memory Format — DRAM (volatile)
Technology — DDR4 SDRAM B-die
Prefetch — 8n
Termination — On-die termination (ODT)
سطح MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت