K4A8G165WB-BCPB vs K4A8G165WB-BCWE Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G165WB-BCPB tarafından Samsung Electronics ve K4A8G165WB-BCWE tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung

K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung

K4A8G165WB-BCWE ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCWE
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu — In Stock
Birim Fiyat (USD) — $6,25
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Organizasyon 512M x 16 —
Veri Hızı 2133 Mbps 3200 Mbps/pin
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
İşletim Sıcaklığı 0C to +85C 0C to +85C
Paket 96FBGA (TFBGA) 96FBGA
Number of Terminals 96 —
Package Shape Rectangular, bottom terminal position —
Die Generation 8Gb B-die —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Arayüz DDR4 (synchronous, double data rate) Parallel
Bank Groups DDR4 bank-group architecture —
RoHS Durumu Compliant (per Lisleapex listing) [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] Self-refresh supported
Bellek Boyutu — 8 Gb
Memory Organization — 512M x 16
Besleme Gerilimi — 1.2 V
Access Time — 19 ns
Memory Format — DRAM (volatile)
Technology — DDR4 SDRAM B-die
Prefetch — 8n
Termination — On-die termination (ODT)
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin