K4A8G165WB-BCPB vs K4A8G165WB-BCWE So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A8G165WB-BCPB bằng Samsung Electronics và K4A8G165WB-BCWE bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung

K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung

K4A8G165WB-BCWE ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCWE
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Trạng thái kho — In Stock
Giá đơn vị (USD) — $6,25
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Tổ chức 512M x 16 —
Tốc độ dữ liệu 2133 Mbps 3200 Mbps/pin
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Nhiệt độ hoạt động 0C to +85C 0C to +85C
Hộp 96FBGA (TFBGA) 96FBGA
Number of Terminals 96 —
Package Shape Rectangular, bottom terminal position —
Die Generation 8Gb B-die —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Giao diện DDR4 (synchronous, double data rate) Parallel
Bank Groups DDR4 bank-group architecture —
Trạng thái RoHS Compliant (per Lisleapex listing) [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] Self-refresh supported
Kích thước bộ nhớ — 8 Gb
Memory Organization — 512M x 16
Điện áp cung cấp — 1.2 V
Access Time — 19 ns
Memory Format — DRAM (volatile)
Technology — DDR4 SDRAM B-die
Prefetch — 8n
Termination — On-die termination (ODT)
Cấp MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá