K4AAG165WA-BCWE vs K4AAG165WM-BCTD तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4AAG165WA-BCWE द्वारा Samsung Electronics और K4AAG165WM-BCTD द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4AAG165WA-BCWE | K4AAG165WM-BCTD |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 16 Gb (2 GB) | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| डेटा दर | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| पैकेज | 96-ball FBGA | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| Package Dimensions | 13 x 9 mm | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +95C | 0C to +85C |
| इंटरफ़ेस प्रकार | Parallel, DDR4 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder reflow) |
| Memory Format | DRAM (Volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | RoHS (per LCSC listing) |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Density | — | 16 Gb |
| संगठन | — | 1G x 16 |
| Speed | — | 2666 Mbps |
| इंटरफ़ेस | — | SSTL-12 |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |