K4AAG165WA-BCWE vs K4AAG165WM-BCTD مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4AAG165WA-BCWE توسط Samsung Electronics و K4AAG165WM-BCTD توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4AAG165WA-BCWE | K4AAG165WM-BCTD |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 16 Gb (2 GB) | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| نرخ داده | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| Package Dimensions | 13 x 9 mm | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| دمای کاری | -40C to +95C | 0C to +85C |
| نوع رابط | Parallel, DDR4 | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder reflow) |
| Memory Format | DRAM (Volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | RoHS (per LCSC listing) |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Density | — | 16 Gb |
| سازمان | — | 1G x 16 |
| Speed | — | 2666 Mbps |
| رابط | — | SSTL-12 |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |