K4AAG165WA-BCWE vs K4AAG165WM-BCTD So sánh
So sánh chi tiết song song của K4AAG165WA-BCWE bằng Samsung Electronics và K4AAG165WM-BCTD bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4AAG165WA-BCWE - 16Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung
K4AAG165WA-BCWE ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K4AAG165WM-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung
K4AAG165WM-BCTD ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4AAG165WA-BCWE | K4AAG165WM-BCTD |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 16 Gb (2 GB) | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Tốc độ dữ liệu | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Hộp | 96-ball FBGA | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| Package Dimensions | 13 x 9 mm | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Nhiệt độ hoạt động | -40C to +95C | 0C to +85C |
| Loại giao diện | Parallel, DDR4 | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder reflow) |
| Memory Format | DRAM (Volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | RoHS (per LCSC listing) |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Tổ chức | — | 1G x 16 |
| Speed | — | 2666 Mbps |
| Giao diện | — | SSTL-12 |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |