K4B4G1646D-BCK0 vs AS4C256M16D3L-12BCN तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646D-BCK0 द्वारा Samsung Electronics और AS4C256M16D3L-12BCN द्वारा Alliance Memory. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646D-BCK0 | AS4C256M16D3L-12BCN |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| डेटा दर | 1600 Mbps per pin | 1600 Mbps |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| CAS लेटेंसी | 11 (programmable) | 20 ns |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x13 mm) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| मेमोरी आकार | — | 4 Gbit |
| डेटा बस चौड़ाई | — | 16 bit |
| अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी | — | 800 MHz |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.35 V |
| माउंटिंग स्टाइल | — | SMD/SMT |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | 0C to +95C (Tc) |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| इंटरफ़ेस प्रकार | — | Parallel |
| पिन की संख्या | — | 96 |