K4B4G1646D-BCK0 vs AS4C256M16D3L-12BCN Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BCK0 tarafından Samsung Electronics ve AS4C256M16D3L-12BCN tarafından Alliance MemoryAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646D-BCK0 | AS4C256M16D3L-12BCN |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Veri Hızı | 1600 Mbps per pin | 1600 Mbps |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| CAS Gecikme | 11 (programmable) | 20 ns |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| Paket | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x13 mm) |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Klorürsüz | Yes | — |
| Bellek Boyutu | — | 4 Gbit |
| Veri Bus Genişliği | — | 16 bit |
| Azami Saat Hızı | — | 800 MHz |
| Besleme Gerilimi | — | 1.35 V |
| Montaj Stili | — | SMD/SMT |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | 0C to +95C (Tc) |
| Klorürsüz | — | Yes |
| Arayüz Türü | — | Parallel |
| Pin Sayısı | — | 96 |