K4B4G1646D-BCK0 vs AS4C256M16D3L-12BCN مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646D-BCK0 توسط Samsung Electronics و AS4C256M16D3L-12BCN توسط Alliance Memory. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646D-BCK0 | AS4C256M16D3L-12BCN |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| نرخ داده | 1600 Mbps per pin | 1600 Mbps |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| تأخیر CAS | 11 (programmable) | 20 ns |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x13 mm) |
| دمای کاری | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| اندازه حافظه | — | 4 Gbit |
| عرض گذرگاه داده | — | 16 bit |
| حداکثر فرکانس کلاک | — | 800 MHz |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.35 V |
| سبک نصب | — | SMD/SMT |
| محدوده دمای کاری | — | 0C to +95C (Tc) |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| نوع رابط | — | Parallel |
| تعداد پین‌ها | — | 96 |