K4B4G1646D-BCK0 vs AS4C256M16D3L-12BCN Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646D-BCK0 sa pamamagitan ng Samsung Electronics at AS4C256M16D3L-12BCN sa pamamagitan ng Alliance Memory. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4B4G1646D-BCK0 | AS4C256M16D3L-12BCN |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Rate ng Data | 1600 Mbps per pin | 1600 Mbps |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Latensya ng CAS | 11 (programmable) | 20 ns |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| Packhaging | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x13 mm) |
| Temperature na Operasyon | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| Laki ng Memory | — | 4 Gbit |
| Width ng Data Bus | — | 16 bit |
| Maksimum na Taktiko ng Oras | — | 800 MHz |
| Volte ng Pagbibigay | — | 1.35 V |
| Style ng Pagpapasok | — | SMD/SMT |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | — | 0C to +95C (Tc) |
| Wala sa Halogen | — | Yes |
| Uri ng Interface | — | Parallel |
| Bilang ng Pins | — | 96 |