K4B4G1646D-BCK0 vs AS4C256M16D3L-12BCN Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci K4B4G1646D-BCK0 disebabkan oleh Samsung Electronics dan AS4C256M16D3L-12BCN disebabkan oleh Alliance Memory. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ AktifPengandingan Spesifikasi
| Parametr | K4B4G1646D-BCK0 | AS4C256M16D3L-12BCN |
|---|---|---|
| Merek | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Jenis Ingatan | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisasi | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Kadar Data | 1600 Mbps per pin | 1600 Mbps |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Latensi CAS | 11 (programmable) | 20 ns |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| Kemasan | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x13 mm) |
| Suhu Operasi | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Boson Bebas | Yes | — |
| Saiz Ingatan | — | 4 Gbit |
| Lebar Bus Data | — | 16 bit |
| Frekuensi Klock Maksimum | — | 800 MHz |
| Tegangan Pemberi Arus | — | 1.35 V |
| Gaya Pemasangan | — | SMD/SMT |
| Gambaran Suhu Operasi | — | 0C to +95C (Tc) |
| Boson Bebas | — | Yes |
| Jenis Antaramuka | — | Parallel |
| Bilangan Pin | — | 96 |