K4B4G1646D-BCK0 vs AS4C256M16D3L-12BCN השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646D-BCK0 מאת Samsung Electronics ו AS4C256M16D3L-12BCN מאת Alliance Memory. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646D-BCK0 | AS4C256M16D3L-12BCN |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| קצב נתונים | 1600 Mbps per pin | 1600 Mbps |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| השהיית CAS | 11 (programmable) | 20 ns |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| מארז | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x13 mm) |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| גודל זיכרון | — | 4 Gbit |
| רוחב אפיק נתונים | — | 16 bit |
| תדר שעון מקסימלי | — | 800 MHz |
| מתח אספקה | — | 1.35 V |
| סגנון הרכבה | — | SMD/SMT |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | 0C to +95C (Tc) |
| נטול הלוגנים | — | Yes |
| סוג ממשק | — | Parallel |
| מספר פינים | — | 96 |