K4B4G1646D-BCK0 vs AS4C256M16D3L-12BCN مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646D-BCK0 بواسطة Samsung Electronics و AS4C256M16D3L-12BCN بواسطة Alliance Memory. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646D-BCK0 | AS4C256M16D3L-12BCN |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| معدل البيانات | 1600 Mbps per pin | 1600 Mbps |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| زمن الوصول CAS | 11 (programmable) | 20 ns |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| العلبة | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x13 mm) |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| حجم الذاكرة | — | 4 Gbit |
| عرض ناقل البيانات | — | 16 bit |
| أقصى تردد للساعة | — | 800 MHz |
| جهد التغذية | — | 1.35 V |
| نمط التركيب | — | SMD/SMT |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | 0C to +95C (Tc) |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| نوع الواجهة | — | Parallel |
| عدد الدبابيس | — | 96 |