K4B4G1646D-BCK0 vs AS4C256M16D3L-12BCN موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BCK0 بذریعہ Samsung Electronics اور AS4C256M16D3L-12BCN بذریعہ Alliance Memory. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646D-BCK0 | AS4C256M16D3L-12BCN |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1600 Mbps per pin | 1600 Mbps |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| CAS لیٹنسی | 11 (programmable) | 20 ns |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x13 mm) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| میموری سائز | — | 4 Gbit |
| ڈیٹا بس چوڑائی | — | 16 bit |
| زیادہ سے زیادہ کلاک فریکوئنسی | — | 800 MHz |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.35 V |
| ماؤنٹنگ اسٹائل | — | SMD/SMT |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | 0C to +95C (Tc) |
| ہیلوجن فری | — | Yes |
| انٹرفیس ٹائپ | — | Parallel |
| پنز کی تعداد | — | 96 |