M29W064FB70N3E vs M29W064FT70N3F तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W064FB70N3E द्वारा Micron Technology और M29W064FT70N3F द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
M29W064FB70N3E - 64Mbit 3V NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron
M29W064FB70N3E ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29W064FB70N3E | M29W064FT70N3F |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Flash | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | NOR Flash, Parallel | NOR Flash |
| मेमोरी आकार | 64 Mbit (8M x 8 / 4M x 16) | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 3.0 V to 3.6 V (3V/3.3V) | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| इंटरफ़ेस | Parallel, CFI compliant | Parallel |
| Boot Block | Bottom boot block (FB variant) | — |
| पैकेज | 48-Pin TSOP | 48-TSOP I |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Organization Switching | Byte/Word selectable via BYTE# pin | — |
| Reset/Power-Down | RP# pin | — |
| Data Protection | Block protection, WP# hardware protection | — |
| Device Signature | Electronic signature for device identification | — |
| Packaging | Tray | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | unknown |
| Brand Source | Micron Technology / Alliance Memory, Inc. (second source) | — |
| Erase/Program Mode | Word/byte program, block erase, chip erase | — |
| Density | — | 64 Mbit |
| संगठन | — | 8 Mbit x8 / 4 Mbit x16 |
| Supply Voltage (VCC) | — | up to 3.6 V for program, erase, read |
| VPP Fast Program Voltage | — | 12 V (optional) |
| Boot Block Configuration | — | Top boot block (FT) |
| Programming Method | — | Command set / data polling / toggle bit |
| Block Protection | — | Yes, with temporary unprotection |
| Product Longevity Program | — | No |
| Width | — | x8/x16 |