M29W064FB70N3E vs M29W064FT70N3F مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29W064FB70N3E توسط Micron Technology و M29W064FT70N3F توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29W064FB70N3E M29W064FB70N3E - 64Mbit 3V NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W064FB70N3E - 64Mbit 3V NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W064FB70N3E ✓ فعال
Micron Technology
M29W064FT70N3F M29W064FT70N3F - 64Mb 3V NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3F - 64Mb 3V NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3F ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29W064FB70N3E M29W064FT70N3F
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Flash Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه NOR Flash, Parallel NOR Flash
اندازه حافظه 64 Mbit (8M x 8 / 4M x 16) —
ولتاژ تغذیه 3.0 V to 3.6 V (3V/3.3V) —
Access Time 70 ns 70 ns
رابط Parallel, CFI compliant Parallel
Boot Block Bottom boot block (FB variant) —
بسته‌بندی 48-Pin TSOP 48-TSOP I
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای کاری -40C to +125C -40C to +125C
Organization Switching Byte/Word selectable via BYTE# pin —
Reset/Power-Down RP# pin —
Data Protection Block protection, WP# hardware protection —
Device Signature Electronic signature for device identification —
Packaging Tray —
وضعیت RoHS Compliant unknown
Brand Source Micron Technology / Alliance Memory, Inc. (second source) —
Erase/Program Mode Word/byte program, block erase, chip erase —
Density — 64 Mbit
سازمان — 8 Mbit x8 / 4 Mbit x16
Supply Voltage (VCC) — up to 3.6 V for program, erase, read
VPP Fast Program Voltage — 12 V (optional)
Boot Block Configuration — Top boot block (FT)
Programming Method — Command set / data polling / toggle bit
Block Protection — Yes, with temporary unprotection
Product Longevity Program — No
Width — x8/x16

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت