M29W064FB70N3E vs M29W064FT70N3F Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W064FB70N3E tarafından Micron Technology ve M29W064FT70N3F tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | M29W064FB70N3E | M29W064FT70N3F |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategori | Flash | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | NOR Flash, Parallel | NOR Flash |
| Bellek Boyutu | 64 Mbit (8M x 8 / 4M x 16) | — |
| Besleme Gerilimi | 3.0 V to 3.6 V (3V/3.3V) | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Arayüz | Parallel, CFI compliant | Parallel |
| Boot Block | Bottom boot block (FB variant) | — |
| Paket | 48-Pin TSOP | 48-TSOP I |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Organization Switching | Byte/Word selectable via BYTE# pin | — |
| Reset/Power-Down | RP# pin | — |
| Data Protection | Block protection, WP# hardware protection | — |
| Device Signature | Electronic signature for device identification | — |
| Packaging | Tray | — |
| RoHS Durumu | Compliant | unknown |
| Brand Source | Micron Technology / Alliance Memory, Inc. (second source) | — |
| Erase/Program Mode | Word/byte program, block erase, chip erase | — |
| Density | — | 64 Mbit |
| Organizasyon | — | 8 Mbit x8 / 4 Mbit x16 |
| Supply Voltage (VCC) | — | up to 3.6 V for program, erase, read |
| VPP Fast Program Voltage | — | 12 V (optional) |
| Boot Block Configuration | — | Top boot block (FT) |
| Programming Method | — | Command set / data polling / toggle bit |
| Block Protection | — | Yes, with temporary unprotection |
| Product Longevity Program | — | No |
| Width | — | x8/x16 |