M29W320DT70N3E vs M29W320DB70N3E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W320DT70N3E द्वारा Micron Technology और M29W320DB70N3E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29W320DT70N3E | M29W320DB70N3E |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Flash |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | NOR Flash | NOR Flash |
| मेमोरी आकार | 32 Mbit | — |
| संगठन | 4M x8 / 2M x16 | 2M x 16 |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Read Current (typical) | 10 mA | — |
| Boot Block Architecture | Top boot (DT suffix) | — |
| Boot Region | 16 KByte boot block, two 8 KByte parameter blocks, 32 KByte small main block | — |
| पैकेज | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| Package Length | 18.4 mm | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 3 (168 Hours) | — |
| Peak Reflow Temperature Time | 30 s | — |
| Packaging | Tray | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | ROHS3 Compliant |
| Density | — | 32 Mbit (33554 kbits) |
| Number of Words | — | 2000 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| VPP Fast Program Voltage | — | 12 V (optional) |
| Block Architecture | — | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) |
| Programming Mode | — | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling |
| Power-Up Mode | — | Read mode (default) |