M29W320DT70N3E vs M29W320DB70N3E موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از M29W320DT70N3E بذریعہ Micron Technology اور M29W320DB70N3E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
M29W320DT70N3E M29W320DT70N3E - 32Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W320DT70N3E - 32Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W320DT70N3E ✓ فعال
Micron Technology
M29W320DB70N3E M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر M29W320DT70N3E M29W320DB70N3E
برانڈ Micron Technology Micron Technology
زمرہ Memory ICs Flash
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ NOR Flash NOR Flash
میموری سائز 32 Mbit —
تنظیم 4M x8 / 2M x16 2M x 16
انٹرفیس Parallel Parallel
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Read Current (typical) 10 mA —
Boot Block Architecture Top boot (DT suffix) —
Boot Region 16 KByte boot block, two 8 KByte parameter blocks, 32 KByte small main block —
پیکیج 48-TSOP I 48-TSOP I
Package Length 18.4 mm —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 3 (168 Hours) —
Peak Reflow Temperature Time 30 s —
Packaging Tray —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] ROHS3 Compliant
Density — 32 Mbit (33554 kbits)
Number of Words — 2000 k
Bits per Word — 16 bits
VPP Fast Program Voltage — 12 V (optional)
Block Architecture — Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type)
Programming Mode — Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling
Power-Up Mode — Read mode (default)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں