M29W320DT70N3E vs M29W320DB70N3E השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29W320DT70N3E מאת Micron Technology ו M29W320DB70N3E מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29W320DT70N3E M29W320DT70N3E - 32Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W320DT70N3E - 32Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W320DT70N3E ✓ פעיל
Micron Technology
M29W320DB70N3E M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר M29W320DT70N3E M29W320DB70N3E
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה Memory ICs Flash
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון NOR Flash NOR Flash
גודל זיכרון 32 Mbit —
ארגון 4M x8 / 2M x16 2M x 16
ממשק Parallel Parallel
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Read Current (typical) 10 mA —
Boot Block Architecture Top boot (DT suffix) —
Boot Region 16 KByte boot block, two 8 KByte parameter blocks, 32 KByte small main block —
מארז 48-TSOP I 48-TSOP I
Package Length 18.4 mm —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 3 (168 Hours) —
Peak Reflow Temperature Time 30 s —
Packaging Tray —
טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] ROHS3 Compliant
Density — 32 Mbit (33554 kbits)
Number of Words — 2000 k
Bits per Word — 16 bits
VPP Fast Program Voltage — 12 V (optional)
Block Architecture — Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type)
Programming Mode — Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling
Power-Up Mode — Read mode (default)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר