M29W320DT70N3E vs M29W320DB70N3E Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W320DT70N3E tarafından Micron Technology ve M29W320DB70N3E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29W320DT70N3E M29W320DT70N3E - 32Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W320DT70N3E - 32Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W320DT70N3E ✓ Aktif
Micron Technology
M29W320DB70N3E M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29W320DT70N3E M29W320DB70N3E
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Flash
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash NOR Flash
Bellek Boyutu 32 Mbit —
Organizasyon 4M x8 / 2M x16 2M x 16
Arayüz Parallel Parallel
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Read Current (typical) 10 mA —
Boot Block Architecture Top boot (DT suffix) —
Boot Region 16 KByte boot block, two 8 KByte parameter blocks, 32 KByte small main block —
Paket 48-TSOP I 48-TSOP I
Package Length 18.4 mm —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 3 (168 Hours) —
Peak Reflow Temperature Time 30 s —
Packaging Tray —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] ROHS3 Compliant
Density — 32 Mbit (33554 kbits)
Number of Words — 2000 k
Bits per Word — 16 bits
VPP Fast Program Voltage — 12 V (optional)
Block Architecture — Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type)
Programming Mode — Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling
Power-Up Mode — Read mode (default)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin