MMA20312BT1 vs MMA25312BT1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MMA20312BT1 द्वारा NXP Semiconductors और MMA25312BT1 द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
NXP Semiconductors
MMA20312BT1 - 2-Stage InGaP HBT Linear Amplifier, 1.8-2.2 GHz | NXP
MMA20312BT1 ✓ सक्रियNXP Semiconductors
MMA25312BT1 - 2.3-2.7 GHz 26 dB InGaP HBT Driver Amplifier | NXP
MMA25312BT1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MMA20312BT1 | MMA25312BT1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| श्रेणी | RF Amplifiers | RF Amplifiers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) | — |
| Product Type | RF Linear Power Amplifier | — |
| Technology | InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) | InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) |
| टोपोलॉजी | 2-stage Class AB cascade | 2-stage linear driver amplifier |
| Frequency Range | 1800 MHz to 2200 MHz | 2300 MHz to 2700 MHz |
| Small-Signal Gain | 27.2 dB | 26 dB |
| Saturated Output Power (Psat) | 30.5 dBm (~1.1 W) | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 5 V | 3 V to 5 V |
| Supply Current (Idq) | 70 mA typical | — |
| पैकेज / केस | 12-QFN (3x3 mm) with Exposed Pad | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RF Input/Output Match | Internal 50 ohm | — |
| Supported RF Standards | LTE, PCS, TD-SCDMA, UMTS | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40 °C to +85 °C |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS स्थिति | Compliant (per NXP product page) | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Saturated Output Power | — | 31 dBm (typ) |
| Noise Figure | — | 3.8 dB at 2.5 GHz |
| सप्लाई करंट | — | 124 mA (typ) |
| Test Frequency | — | 2.5 GHz |
| पैकेज | — | 12-VFQFN Exposed Pad (QFN-12 EP) |
| RF Type | — | WiMAX, WLAN |