MMA20312BT1 vs MMA25312BT1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MMA20312BT1 tarafından NXP Semiconductors ve MMA25312BT1 tarafından NXP SemiconductorsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

NXP Semiconductors
MMA25312BT1 MMA25312BT1 - 2.3-2.7 GHz 26 dB InGaP HBT Driver Amplifier | NXP

MMA25312BT1 - 2.3-2.7 GHz 26 dB InGaP HBT Driver Amplifier | NXP

MMA25312BT1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre MMA20312BT1 MMA25312BT1
Marka NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Kategori RF Amplifiers RF Amplifiers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) —
Product Type RF Linear Power Amplifier —
Technology InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)
Ağ Yapısı 2-stage Class AB cascade 2-stage linear driver amplifier
Frequency Range 1800 MHz to 2200 MHz 2300 MHz to 2700 MHz
Small-Signal Gain 27.2 dB 26 dB
Saturated Output Power (Psat) 30.5 dBm (~1.1 W) —
Besleme Gerilimi 5 V 3 V to 5 V
Supply Current (Idq) 70 mA typical —
Paket / Kas 12-QFN (3x3 mm) with Exposed Pad —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RF Input/Output Match Internal 50 ohm —
Supported RF Standards LTE, PCS, TD-SCDMA, UMTS —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 °C to +85 °C
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS Durumu Compliant (per NXP product page) Compliant
Lead-Free Yes —
Packaging Tape & Reel —
Saturated Output Power — 31 dBm (typ)
Noise Figure — 3.8 dB at 2.5 GHz
Besleme Akımı — 124 mA (typ)
Test Frequency — 2.5 GHz
Paket — 12-VFQFN Exposed Pad (QFN-12 EP)
RF Type — WiMAX, WLAN

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin