MMA20312BT1 vs MMA25312BT1 So sánh
So sánh chi tiết song song của MMA20312BT1 bằng NXP Semiconductors và MMA25312BT1 bằng NXP Semiconductors. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
NXP Semiconductors
MMA20312BT1 - 2-Stage InGaP HBT Linear Amplifier, 1.8-2.2 GHz | NXP
MMA20312BT1 ✓ Hoạt độngNXP Semiconductors
MMA25312BT1 - 2.3-2.7 GHz 26 dB InGaP HBT Driver Amplifier | NXP
MMA25312BT1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | MMA20312BT1 | MMA25312BT1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Danh mục | RF Amplifiers | RF Amplifiers |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) | — |
| Product Type | RF Linear Power Amplifier | — |
| Technology | InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) | InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) |
| Cấu trúc | 2-stage Class AB cascade | 2-stage linear driver amplifier |
| Frequency Range | 1800 MHz to 2200 MHz | 2300 MHz to 2700 MHz |
| Small-Signal Gain | 27.2 dB | 26 dB |
| Saturated Output Power (Psat) | 30.5 dBm (~1.1 W) | — |
| Điện áp cung cấp | 5 V | 3 V to 5 V |
| Supply Current (Idq) | 70 mA typical | — |
| Hộp / Vỏ | 12-QFN (3x3 mm) with Exposed Pad | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| RF Input/Output Match | Internal 50 ohm | — |
| Supported RF Standards | LTE, PCS, TD-SCDMA, UMTS | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40 °C to +85 °C |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Trạng thái RoHS | Compliant (per NXP product page) | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Saturated Output Power | — | 31 dBm (typ) |
| Noise Figure | — | 3.8 dB at 2.5 GHz |
| Điện áp cung cấp | — | 124 mA (typ) |
| Test Frequency | — | 2.5 GHz |
| Hộp | — | 12-VFQFN Exposed Pad (QFN-12 EP) |
| RF Type | — | WiMAX, WLAN |