MMA20312BT1 vs MMA25312BT1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MMA20312BT1 بذریعہ NXP Semiconductors اور MMA25312BT1 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
NXP Semiconductors
MMA20312BT1 - 2-Stage InGaP HBT Linear Amplifier, 1.8-2.2 GHz | NXP
MMA20312BT1 ✓ فعالNXP Semiconductors
MMA25312BT1 - 2.3-2.7 GHz 26 dB InGaP HBT Driver Amplifier | NXP
MMA25312BT1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MMA20312BT1 | MMA25312BT1 |
|---|---|---|
| برانڈ | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| زمرہ | RF Amplifiers | RF Amplifiers |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) | — |
| Product Type | RF Linear Power Amplifier | — |
| Technology | InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) | InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) |
| ٹوپولوجی | 2-stage Class AB cascade | 2-stage linear driver amplifier |
| Frequency Range | 1800 MHz to 2200 MHz | 2300 MHz to 2700 MHz |
| Small-Signal Gain | 27.2 dB | 26 dB |
| Saturated Output Power (Psat) | 30.5 dBm (~1.1 W) | — |
| سپلائی وولٹیج | 5 V | 3 V to 5 V |
| Supply Current (Idq) | 70 mA typical | — |
| پیکیج / کیس | 12-QFN (3x3 mm) with Exposed Pad | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RF Input/Output Match | Internal 50 ohm | — |
| Supported RF Standards | LTE, PCS, TD-SCDMA, UMTS | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40 °C to +85 °C |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (per NXP product page) | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Saturated Output Power | — | 31 dBm (typ) |
| Noise Figure | — | 3.8 dB at 2.5 GHz |
| سپلائی کرنٹ | — | 124 mA (typ) |
| Test Frequency | — | 2.5 GHz |
| پیکیج | — | 12-VFQFN Exposed Pad (QFN-12 EP) |
| RF Type | — | WiMAX, WLAN |