MPC8314ECVRAFDA vs MPC8314CVRAGDA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MPC8314ECVRAFDA द्वारा NXP Semiconductors और MPC8314CVRAGDA द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
NXP Semiconductors
MPC8314ECVRAFDA - PowerQUICC II Pro SoC, 333MHz, 620-HBGA | NXP
MPC8314ECVRAFDA ✓ सक्रियNXP Semiconductors
MPC8314CVRAGDA - PowerQUICC II Pro 400MHz SoC | NXP | 620-HBGA
MPC8314CVRAGDA ⚠ अंतिम खरीदविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MPC8314ECVRAFDA | MPC8314CVRAGDA |
|---|---|---|
| ब्रांड | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| श्रेणी | Microcontrollers | Microcontrollers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | अंतिम बार खरीदें |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale) | — |
| Product Type | PowerQUICC II Pro Communications Processor | — |
| Core Architecture | Power Architecture e300c3 | PowerPC e300c3 |
| डेटा बस चौड़ाई | 32-bit | 32 bit |
| Maximum CPU Clock Frequency | 333 MHz | — |
| L1 Instruction Cache | 16 KB | — |
| L1 Data Cache | 16 KB | — |
| Memory Controller | DDR1 and DDR2 SDRAM | DDR1/DDR2, 32-bit |
| Gigabit Ethernet MACs | 2 (RGMII, MII/RGMII) | — |
| PCI Interface | 32-bit PCI v2.3 + PCI Express | PCI v2.3, 32-bit, up to 66 MHz |
| USB Interface | USB 2.0 Full-Speed / Low-Speed | — |
| Security Engine | SEC 2.0 (DES/3DES/AES/SHA) | — |
| TDM Interface | Yes (TDM) | TDM (T1/E1) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40C to +105C (junction) | — |
| पैकेज | 620-HBGA (29x29 mm) | 620-HBGA (HCTE-BGA, 29x29 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (BGA) | Surface Mount, 1.0 mm ball pitch |
| Silicon Revision | Rev 1 | — |
| RoHS स्थिति | See _validation_note | Compliant |
| Core Count | — | 1 |
| अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी | — | 400 MHz |
| Instruction Cache | — | 16 KB |
| Data Cache | — | 16 KB |
| Ethernet | — | 2x 10/100/1000 Mbps GMII / RGMII |
| USB | — | USB 2.0 (Host/Device/OTG) |
| Encryption Engine | — | Not present (C-variant, non-encrypt) |
| Process Technology | — | 90 nm CMOS |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -40C to +105C |
| सप्लाई वोल्टेज | — | Core 1.0 V, I/O 3.3 V (typical) |
| MSL स्तर | — | 3 (per JEDEC J-STD-020) |