MPX10DP vs MPXC2011DT1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MPX10DP द्वारा STMicroelectronics और MPXC2011DT1 द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

STMicroelectronics
MPX10DP MPX10DP - 10kPa Differential Pressure Sensor 35mV | STMicroelectronics

MPX10DP - 10kPa Differential Pressure Sensor 35mV | STMicroelectronics

MPX10DP ✓ सक्रिय
NXP Semiconductors
MPXC2011DT1 MPXC2011DT1 - 10kPa Differential Pressure Sensor 4-SSIP | NXP

MPXC2011DT1 - 10kPa Differential Pressure Sensor 4-SSIP | NXP

MPXC2011DT1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MPX10DP MPXC2011DT1
ब्रांड STMicroelectronics NXP Semiconductors
श्रेणी Pressure Sensors Pressure Sensors
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Pressure Type Differential Differential
Operating Pressure Range 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) 0 kPa to 10 kPa (0 PSI to 1.45 PSI)
Maximum Overload Pressure [DATA_NEEDED: maximum overload pressure] —
आउटपुट प्रकार Analog Wheatstone bridge (uncompensated) Analog Wheatstone bridge (ratiometric)
Output Voltage Span 0 mV to 35 mV at 3 V excitation —
Supply Voltage (Excitation) 3 V DC typical —
Port Configuration Dual male 0.19 in (4.93 mm) tube, axial —
पैकेज / केस 4-SIP Module —
माउंटिंग प्रकार Through-Hole Through-hole (PCB mount with side-port tubing)
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0 °C to +85 °C
Bridge Impedance [DATA_NEEDED: input/output bridge resistance] —
Linearity [DATA_NEEDED: linearity %FS] —
Temperature Compensation None (uncompensated) —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status not in web data]
Media Compatibility Dry gases (non-corrosive) —
Full-Scale Output — 25 mV typical at 10 V excitation
Sensitivity — 2.5 mV/kPa typical
Excitation Voltage — 3 V DC to 10 V DC (10 V nominal)
पैकेज — 4-SSIP Chip Pak module, side port
Port Style — Female, 3.25 mm (0.128 in) barbed side port
Termination Style — Through-hole PCB, 4 leads
Compensation — On-chip temperature compensated and calibrated
Technology — Piezoresistive silicon strain gauge
Module Dimensions — 7.6 mm x 12.8 mm nominal

डेटाशीट और संसाधन

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