NT5CC256M16CP-DIA vs K4B4G1646E-BYMA तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CC256M16CP-DIA द्वारा Nanya Technology और K4B4G1646E-BYMA द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIA NT5CC256M16CP-DIA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIA ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर NT5CC256M16CP-DIA K4B4G1646E-BYMA
ब्रांड Nanya Technology Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) — $14.32
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
मेमोरी आकार 4 Gbit (256M x 16) —
डेटा दर 1600 Mbps (800 MHz clock) 1866 Mbps/pin
सप्लाई वोल्टेज 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
पैकेज TFBGA-96 (9 x 13 mm, 0.8 mm pitch) FBGA-96
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 11, 12, 13 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Access Time (tAC) 0.225 ns —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant Compliant
हैलोजन फ्री Yes —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Density — 4 Gb
संगठन — 256M x 16
Clock Frequency — 933 MHz
ऑपरेटिंग तापमान — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
CAS लेटेंसी — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
पिन की संख्या — 96

डेटाशीट और संसाधन

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