NT5CC256M16CP-DIA vs K4B4G1646E-BYMA 比較
詳細並排比較 NT5CC256M16CP-DIA 由 Nanya Technology 與 K4B4G1646E-BYMA 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | NT5CC256M16CP-DIA | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| 品牌 | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 單價 (USD) | — | $14.32 |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 記憶體容量 | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| 資料速率 | 1600 Mbps (800 MHz clock) | 1866 Mbps/pin |
| 供應電壓 | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| 封裝 | TFBGA-96 (9 x 13 mm, 0.8 mm pitch) | FBGA-96 |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Access Time (tAC) | 0.225 ns | — |
| 工作溫度範圍 | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| 無鹵素 | Yes | — |
| 安裝類型 | Surface Mount | Surface Mount |
| Differential Clock Input | Yes (CK, CK#) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| 組織 | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| 工作溫度 | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| CAS 延遲 | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| 腳位數 | — | 96 |