NT5CC256M16CP-DIA vs K4B4G1646E-BYMA مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار NT5CC256M16CP-DIA توسط Nanya Technology و K4B4G1646E-BYMA توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | NT5CC256M16CP-DIA | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| برند | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| دستهبندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $14.32 |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| اندازه حافظه | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| نرخ داده | 1600 Mbps (800 MHz clock) | 1866 Mbps/pin |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| بستهبندی | TFBGA-96 (9 x 13 mm, 0.8 mm pitch) | FBGA-96 |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Access Time (tAC) | 0.225 ns | — |
| محدوده دمای کاری | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Differential Clock Input | Yes (CK, CK#) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| سازمان | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| دمای کاری | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| تعداد پینها | — | 96 |