NT5CC256M16CP-DIA vs K4B4G1646E-BYMA مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار NT5CC256M16CP-DIA توسط Nanya Technology و K4B4G1646E-BYMA توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIA NT5CC256M16CP-DIA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIA ✓ فعال
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر NT5CC256M16CP-DIA K4B4G1646E-BYMA
برند Nanya Technology Samsung Electronics
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
قیمت واحد (USD) — $14.32
نوع حافظه DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
اندازه حافظه 4 Gbit (256M x 16) —
نرخ داده 1600 Mbps (800 MHz clock) 1866 Mbps/pin
ولتاژ تغذیه 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
بسته‌بندی TFBGA-96 (9 x 13 mm, 0.8 mm pitch) FBGA-96
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 11, 12, 13 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Access Time (tAC) 0.225 ns —
محدوده دمای کاری -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant Compliant
بدون هالوژن Yes —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Density — 4 Gb
سازمان — 256M x 16
Clock Frequency — 933 MHz
دمای کاری — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
تأخیر CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
تعداد پین‌ها — 96

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت