NT5CC256M16CP-DIA vs K4B4G1646E-BYMA Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci NT5CC256M16CP-DIA disebabkan oleh Nanya Technology dan K4B4G1646E-BYMA disebabkan oleh Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIA NT5CC256M16CP-DIA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIA ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr NT5CC256M16CP-DIA K4B4G1646E-BYMA
Merek Nanya Technology Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Harga Unit (USD) — $14.32
Jenis Ingatan DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Saiz Ingatan 4 Gbit (256M x 16) —
Kadar Data 1600 Mbps (800 MHz clock) 1866 Mbps/pin
Tegangan Pemberi Arus 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Kemasan TFBGA-96 (9 x 13 mm, 0.8 mm pitch) FBGA-96
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 11, 12, 13 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Access Time (tAC) 0.225 ns —
Gambaran Suhu Operasi -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant Compliant
Boson Bebas Yes —
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Density — 4 Gb
Organisasi — 256M x 16
Clock Frequency — 933 MHz
Suhu Operasi — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Latensi CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
Bilangan Pin — 96

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga