NT5CC256M16CP-DIA vs K4B4G1646E-BYMA השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של NT5CC256M16CP-DIA מאת Nanya Technology ו K4B4G1646E-BYMA מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIA NT5CC256M16CP-DIA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIA ✓ פעיל
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר NT5CC256M16CP-DIA K4B4G1646E-BYMA
מותג Nanya Technology Samsung Electronics
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
מחיר ליחידה (USD) — $14.32
סוג זיכרון DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
גודל זיכרון 4 Gbit (256M x 16) —
קצב נתונים 1600 Mbps (800 MHz clock) 1866 Mbps/pin
מתח אספקה 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
מארז TFBGA-96 (9 x 13 mm, 0.8 mm pitch) FBGA-96
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 11, 12, 13 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Access Time (tAC) 0.225 ns —
טווח טמפרטורת פעולה -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant Compliant
נטול הלוגנים Yes —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Density — 4 Gb
ארגון — 256M x 16
Clock Frequency — 933 MHz
טמפרטורת פעולה — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
השהיית CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
מספר פינים — 96

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר