NT5CC256M16DP-DI vs H5TC4G63CFR-PBL तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CC256M16DP-DI द्वारा Nanya Technology और H5TC4G63CFR-PBL द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT5CC256M16DP-DI | H5TC4G63CFR-PBL |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| संगठन | 256M x 16 | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V | 1.35 V |
| डेटा दर | 1600 Mbps/pin (800MHz) | 1600 Mbps (PC3L-12800) |
| पैकेज | VFBGA-96 | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40°C to +95°C (industrial) | — |
| CAS लेटेंसी | 11, 12, 13 (programmable) | 11, 12, 13 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| इंटरफ़ेस | Differential clock (CK, CK#) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| मेमोरी आकार | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Terminal Form | — | BALL |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85C |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |