NT5CC256M16DP-DI vs H5TC4G63CFR-PBL So sánh

So sánh chi tiết song song của NT5CC256M16DP-DI bằng Nanya Technology và H5TC4G63CFR-PBL bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI ✓ Hoạt động
SK hynix
H5TC4G63CFR-PBL H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số NT5CC256M16DP-DI H5TC4G63CFR-PBL
Thương hiệu Nanya Technology SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
Tổ chức 256M x 16 —
Điện áp cung cấp 1.35V 1.35 V
Tốc độ dữ liệu 1600 Mbps/pin (800MHz) 1600 Mbps (PC3L-12800)
Hộp VFBGA-96 96-ball FBGA (TFBGA)
Khoảng nhiệt độ hoạt động -40°C to +95°C (industrial) —
Latency CAS 11, 12, 13 (programmable) 11, 12, 13
Burst Length 8, 4 (with burst chop) 8
Number of Banks 8 8
Giao diện Differential clock (CK, CK#) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes (ODT) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Kích thước bộ nhớ — 4 Gb (256M x 16)
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Form — BALL
Refresh Period — 7.8 us at 85C
Đông trùng haogen — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá