NT5CC256M16DP-DI vs H5TC4G63CFR-PBL Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci NT5CC256M16DP-DI disebabkan oleh Nanya Technology dan H5TC4G63CFR-PBL disebabkan oleh SK hynix. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Pengandingan Spesifikasi
| Parametr | NT5CC256M16DP-DI | H5TC4G63CFR-PBL |
|---|---|---|
| Merek | Nanya Technology | SK hynix |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Jenis Ingatan | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Organisasi | 256M x 16 | — |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.35V | 1.35 V |
| Kadar Data | 1600 Mbps/pin (800MHz) | 1600 Mbps (PC3L-12800) |
| Kemasan | VFBGA-96 | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Gambaran Suhu Operasi | -40°C to +95°C (industrial) | — |
| Latensi CAS | 11, 12, 13 (programmable) | 11, 12, 13 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Antaramuka | Differential clock (CK, CK#) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Saiz Ingatan | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Terminal Form | — | BALL |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85C |
| Boson Bebas | — | Yes |