NT5CC256M16DP-DI vs H5TC4G63CFR-PBL Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil NT5CC256M16DP-DI dari Nanya Technology dan H5TC4G63CFR-PBL dari SK hynix. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI ✓ Aktif
SK hynix
H5TC4G63CFR-PBL H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL ✓ Aktif

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum NT5CC256M16DP-DI H5TC4G63CFR-PBL
Merek Nanya Technology SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Tipe Memori DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
Organisasi 256M x 16 —
Tegangan Pemuat 1.35V 1.35 V
Laju Data 1600 Mbps/pin (800MHz) 1600 Mbps (PC3L-12800)
Paket VFBGA-96 96-ball FBGA (TFBGA)
Rentang Suhu Kerja -40°C to +95°C (industrial) —
Latensi CAS 11, 12, 13 (programmable) 11, 12, 13
Burst Length 8, 4 (with burst chop) 8
Number of Banks 8 8
Antarmuka Differential clock (CK, CK#) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes (ODT) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Ukuran Memori — 4 Gb (256M x 16)
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Form — BALL
Refresh Period — 7.8 us at 85C
Bebas Halogen — Yes

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon