NT5CC256M16DP-DI vs H5TC4G63CFR-PBL مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT5CC256M16DP-DI بواسطة Nanya Technology و H5TC4G63CFR-PBL بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | NT5CC256M16DP-DI | H5TC4G63CFR-PBL |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Nanya Technology | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| التنظيم | 256M x 16 | — |
| جهد التغذية | 1.35V | 1.35 V |
| معدل البيانات | 1600 Mbps/pin (800MHz) | 1600 Mbps (PC3L-12800) |
| العلبة | VFBGA-96 | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C (industrial) | — |
| زمن الوصول CAS | 11, 12, 13 (programmable) | 11, 12, 13 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| الواجهة | Differential clock (CK, CK#) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| حجم الذاكرة | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Terminal Form | — | BALL |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85C |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |