NTMFS4C324NT1G vs BSC010NE2LSIATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NTMFS4C324NT1G द्वारा onsemi और BSC010NE2LSIATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | NTMFS4C324NT1G | BSC010NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | onsemi | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | onsemi | Infineon Technologies |
| Part Number | NTMFS4C324NT1G | — |
| Technology | TRENCH 6 N-Channel MOSFET | OptiMOS (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 25 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max value] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 136 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 352 A | — |
| Rds(on) at VGS=10V | 1.7 mΩ typical | — |
| Single Pulse Avalanche Energy (EAS) | 549 mJ | — |
| Power Dissipation at Ta | 3.1 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 64 W | — |
| पैकेज | 5-DFN (5x6 mm), SO-8FL equivalent | PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: Tj max value] | -55C to +150C (TJ) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Tape and Reel Quantity | 1500 pcs | — |
| Series / Family | — | OptiMOS 25V |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 96 W |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| पिन काउंट | — | 8 |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Rds(on) at 10V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] |
| Rds(on) at 4.5V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |