NTMFS4C324NT1G vs BSC010NE2LSIATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از NTMFS4C324NT1G بذریعہ onsemi اور BSC010NE2LSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | NTMFS4C324NT1G | BSC010NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | onsemi | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | onsemi | Infineon Technologies |
| Part Number | NTMFS4C324NT1G | — |
| Technology | TRENCH 6 N-Channel MOSFET | OptiMOS (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 25 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max value] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 136 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 352 A | — |
| Rds(on) at VGS=10V | 1.7 mΩ typical | — |
| Single Pulse Avalanche Energy (EAS) | 549 mJ | — |
| Power Dissipation at Ta | 3.1 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 64 W | — |
| پیکیج | 5-DFN (5x6 mm), SO-8FL equivalent | PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: Tj max value] | -55C to +150C (TJ) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Tape and Reel Quantity | 1500 pcs | — |
| Series / Family | — | OptiMOS 25V |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 96 W |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| پن کی تعداد | — | 8 |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Rds(on) at 10V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] |
| Rds(on) at 4.5V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |