NTMFS4C324NT1G vs BSC010NE2LSIATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma NTMFS4C324NT1G tarafından onsemi ve BSC010NE2LSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | NTMFS4C324NT1G | BSC010NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | onsemi | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | onsemi | Infineon Technologies |
| Part Number | NTMFS4C324NT1G | — |
| Technology | TRENCH 6 N-Channel MOSFET | OptiMOS (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 25 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max value] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 136 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 352 A | — |
| Rds(on) at VGS=10V | 1.7 mΩ typical | — |
| Single Pulse Avalanche Energy (EAS) | 549 mJ | — |
| Power Dissipation at Ta | 3.1 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 64 W | — |
| Paket | 5-DFN (5x6 mm), SO-8FL equivalent | PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: Tj max value] | -55C to +150C (TJ) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Tape and Reel Quantity | 1500 pcs | — |
| Series / Family | — | OptiMOS 25V |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 96 W |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Pin Sayısı | — | 8 |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Rds(on) at 10V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] |
| Rds(on) at 4.5V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |