SPW47N60C3 vs IPW60R041C6FKSA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना SPW47N60C3 द्वारा Infineon और IPW60R041C6FKSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
SPW47N60C3 SPW47N60C3 - 650V 47A CoolMOS C3 Power MOSFET | Infineon

SPW47N60C3 - 650V 47A CoolMOS C3 Power MOSFET | Infineon

SPW47N60C3 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर SPW47N60C3 IPW60R041C6FKSA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय NRND
Part Number SPW47N60C3 —
Manufacturer Infineon Technologies AG —
Technology CoolMOS C3 (superjunction) CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel)
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 47 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 415 W —
RDS(on) (typical) 70 mOhm [DATA_NEEDED: VGS test condition] —
Gate Charge (Qg, typical) [DATA_NEEDED: nanocoulombs] —
Output Capacitance Eoss @ 400V Very low (per C3 series datasheet) —
पैकेज TO-247-3-1 (PG-TO247-3-1) through-hole PG-TO247-3-1 (TO-247-3)
माउंटिंग प्रकार Through Hole Through Hole
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C (junction, typical for CoolMOS C3) -55°C to +150°C
Configuration Single N-channel, 3 pins (G, D, S) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL स्तर N/A (through-hole) Not Applicable (Through-hole)
Series CoolMOS C3 (600V generation) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 77.5 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 481 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 41 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V typical
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr value]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf value]

डेटाशीट और संसाधन

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