SPW47N60C3 vs IPW60R041C6FKSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của SPW47N60C3 bằng Infineon và IPW60R041C6FKSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
SPW47N60C3 SPW47N60C3 - 650V 47A CoolMOS C3 Power MOSFET | Infineon

SPW47N60C3 - 650V 47A CoolMOS C3 Power MOSFET | Infineon

SPW47N60C3 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số SPW47N60C3 IPW60R041C6FKSA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động NRND
Part Number SPW47N60C3 —
Manufacturer Infineon Technologies AG —
Technology CoolMOS C3 (superjunction) CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel)
Kiểu transitor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 47 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 415 W —
RDS(on) (typical) 70 mOhm [DATA_NEEDED: VGS test condition] —
Gate Charge (Qg, typical) [DATA_NEEDED: nanocoulombs] —
Output Capacitance Eoss @ 400V Very low (per C3 series datasheet) —
Hộp TO-247-3-1 (PG-TO247-3-1) through-hole PG-TO247-3-1 (TO-247-3)
Kiểu lắp đặt Through Hole Through Hole
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C (junction, typical for CoolMOS C3) -55°C to +150°C
Configuration Single N-channel, 3 pins (G, D, S) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Cấp MSL N/A (through-hole) Not Applicable (Through-hole)
Series CoolMOS C3 (600V generation) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 77.5 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 481 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 41 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V typical
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr value]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf value]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá