SPW47N60C3 vs IPW60R041C6FKSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma SPW47N60C3 tarafından Infineon ve IPW60R041C6FKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre SPW47N60C3 IPW60R041C6FKSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif NRND
Part Number SPW47N60C3 —
Manufacturer Infineon Technologies AG —
Technology CoolMOS C3 (superjunction) CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel)
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 47 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 415 W —
RDS(on) (typical) 70 mOhm [DATA_NEEDED: VGS test condition] —
Gate Charge (Qg, typical) [DATA_NEEDED: nanocoulombs] —
Output Capacitance Eoss @ 400V Very low (per C3 series datasheet) —
Paket TO-247-3-1 (PG-TO247-3-1) through-hole PG-TO247-3-1 (TO-247-3)
Montaj Türü Through Hole Through Hole
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction, typical for CoolMOS C3) -55°C to +150°C
Configuration Single N-channel, 3 pins (G, D, S) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL Seviyesi N/A (through-hole) Not Applicable (Through-hole)
Series CoolMOS C3 (600V generation) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 77.5 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 481 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 41 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V typical
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr value]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf value]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin