SPW47N60C3 vs IPW60R041C6FKSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של SPW47N60C3 מאת Infineon ו IPW60R041C6FKSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר SPW47N60C3 IPW60R041C6FKSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל NRND
Part Number SPW47N60C3 —
Manufacturer Infineon Technologies AG —
Technology CoolMOS C3 (superjunction) CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel)
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 47 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 415 W —
RDS(on) (typical) 70 mOhm [DATA_NEEDED: VGS test condition] —
Gate Charge (Qg, typical) [DATA_NEEDED: nanocoulombs] —
Output Capacitance Eoss @ 400V Very low (per C3 series datasheet) —
מארז TO-247-3-1 (PG-TO247-3-1) through-hole PG-TO247-3-1 (TO-247-3)
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C (junction, typical for CoolMOS C3) -55°C to +150°C
Configuration Single N-channel, 3 pins (G, D, S) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
רמת MSL N/A (through-hole) Not Applicable (Through-hole)
Series CoolMOS C3 (600V generation) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 77.5 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 481 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 41 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V typical
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr value]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf value]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר