STF13N95K3 vs IPN95R1K2P7ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना STF13N95K3 द्वारा STMicroelectronics और IPN95R1K2P7ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
STMicroelectronics
STF13N95K3 - 13A, 950V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics
STF13N95K3 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | STF13N95K3 | IPN95R1K2P7ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | STMicroelectronics | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Breakdown Voltage (BVdss) | 950 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | 13 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 100°C | 8.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 39 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 0.55 ohm (typical) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V to 5 V | — |
| Gate Charge (Qg) | 45 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1900 pF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 120 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 10 pF | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 400 mJ | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +150°C | -55C to +150C |
| पैकेज | TO-220FP | SOT-223-3 (PG-SOT223) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | CoolMOS P7 (Super Junction) |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | — | 950 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 6 A |
| Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V | — | 1200 mOhm (1.2 Ohm) |
| Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) | — | 10 V |
| Power Dissipation (T_C) | — | 7 W |
| पिन काउंट | — | 3 (2 + Tab) |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| Packaging | — | Tape & Reel |
| Part Status | — | Active |