STF13N95K3 vs IPN95R1K2P7ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של STF13N95K3 מאת STMicroelectronics ו IPN95R1K2P7ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

STMicroelectronics
STF13N95K3 STF13N95K3 - 13A, 950V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STF13N95K3 - 13A, 950V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STF13N95K3 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר STF13N95K3 IPN95R1K2P7ATMA1
מותג STMicroelectronics Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Polarity N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage (BVdss) 950 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 8.2 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 39 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 0.55 ohm (typical) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V to 5 V —
Gate Charge (Qg) 45 nC —
Input Capacitance (Ciss) 1900 pF —
Output Capacitance (Coss) 120 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 10 pF —
Avalanche Energy (EAS) 400 mJ —
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +150°C -55C to +150C
מארז TO-220FP SOT-223-3 (PG-SOT223)
סוג הרכבה Through Hole Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
נטול הלוגנים Yes —
FET Type — N-Channel
Technology — CoolMOS P7 (Super Junction)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 950 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 6 A
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V — 1200 mOhm (1.2 Ohm)
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) — 10 V
Power Dissipation (T_C) — 7 W
מספר פינים — 3 (2 + Tab)
Series — CoolMOS P7
Packaging — Tape & Reel
Part Status — Active

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר