STF13N95K3 vs IPN95R1K2P7ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار STF13N95K3 توسط STMicroelectronics و IPN95R1K2P7ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

STMicroelectronics
STF13N95K3 STF13N95K3 - 13A, 950V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STF13N95K3 - 13A, 950V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STF13N95K3 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر STF13N95K3 IPN95R1K2P7ATMA1
برند STMicroelectronics Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage (BVdss) 950 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 8.2 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 39 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 0.55 ohm (typical) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V to 5 V —
Gate Charge (Qg) 45 nC —
Input Capacitance (Ciss) 1900 pF —
Output Capacitance (Coss) 120 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 10 pF —
Avalanche Energy (EAS) 400 mJ —
محدوده دمای کاری -55°C to +150°C -55C to +150C
بسته‌بندی TO-220FP SOT-223-3 (PG-SOT223)
نوع نصب Through Hole Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant
بدون هالوژن Yes —
FET Type — N-Channel
Technology — CoolMOS P7 (Super Junction)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 950 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 6 A
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V — 1200 mOhm (1.2 Ohm)
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) — 10 V
Power Dissipation (T_C) — 7 W
تعداد پایه — 3 (2 + Tab)
Series — CoolMOS P7
Packaging — Tape & Reel
Part Status — Active

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت